蓝光LED通常采用Al2O3衬底,Al2O3衬底硬度很高、热导率和电导率低,如果采用正装结构,一方面会带来防静电问题,另一方面,在大电流情况下散热也会成为较为主要的问题。
同时由于正面电极朝上,会遮掉一部分光,发光效率会降低。
大功率蓝光LED通过芯片倒装技术可以比传统的封装技术得到更多的有效出光。
现在主流的倒装结构做法是:首先制备出具有适合共晶焊接电极的大尺寸蓝光LED芯片,同时制备出比蓝光LED芯片略大的硅衬底,并在上面制作出供共晶焊接的金导电层及引出导线层(超声金丝球焊点)。
然后,利用共晶焊接设备将大功率蓝光LED芯片与硅衬底焊接在一起。
这种结构的特点是外延层直接与硅衬底接触,硅衬底的热阻又远远低于蓝宝石衬底,所以散热的问题很好地解决了。
由于倒装后蓝宝石衬底朝上,成为出光面,蓝宝石是透明的,因此出光问题也得到解决。
以上就是LED技术的相关知识,相信随着科学技术的发展,未来的LED灯回越来越高i效,使用寿命也会由很大的提升,为我们带来更大便利。
LED芯片材料磊晶种类
1.LPE:Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
2.VPE:Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs
3.MOVPE:metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN
4.SH:GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs
5.DH:GaAlAs/GaAs Double Heterostructure(双异型结构) GaAlAs/GaAs
6.DDH:GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure(双异型结构) GaAlAs/GaAlAs
LED芯片发展历程我国LED芯片发展历程2003年6月中国科技部首i次提出我国发展半导体照明,标志着我国半导体照明项目正式启动。
2006年的“十一五”将半导体照明工程作为国家的一个重大工程进行推动,在国家政策和资金的倾斜支持下,2010年我国LED产业规模超1500亿元。
2011年国家发改委正式发布中国淘汰白炽灯的政府公告及路线图,明确提出2016年将全i面禁止白炽灯的销售。2011年至2016年为淘汰白炽灯的过渡期,同时也是LED照明行业的快速发展期。
中国LED产业起步阶段,芯片主要依赖进口。近年来,在国家政府政策支持下,我国LED芯片厂商加大研发投入,国内LED芯片行业发展迅速,产能逐渐向中国大陆转移,2017年国内LED芯片供过于求苗头初现,主流芯片厂开始转向高i端产能并进行扩产。
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