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隐裂、热斑、PID效应，是影响晶硅光伏组件性能的三个重要因素。

1. 什么是“隐裂”

隐裂是晶体硅光伏组件的一种较为常见的缺陷，通俗的讲，就是一些肉眼不可见的细微（micro-crack）。晶硅组件由于其自身晶体结构的特性，十分容易发生。

在晶体硅组件生产的工艺流程中，许多环节都有可能造成电池片隐裂。隐裂产生的根本原因，可归纳为硅片上产生了机械应力或热应力。现在为了降低成本，晶硅电池片向越来越薄的方向发展，降低了电池片防止机械破坏的能力，更容易产生隐裂。

隐裂、热斑、PID效应，是影响晶硅光伏组件性能的三个重要因素。

形成“隐裂”的原因

外力：电池片在焊接、层压、装框或搬运、安装、施工等过程中会受外力，当参数设置不当、设备故障或操作不当时会造成隐裂。

高温：电池片在低温下没有经过预热，然后在短时间内突然受到高温后出现膨胀会造成隐裂现象，如焊接温度过高、层压温度等参数设置不合理。

原材料：原材料的缺陷也是导致隐裂的主要因素之一。

芯片的背部减薄制程

1. Grinding制程：

对外延片以Lapping的方式虽然加工品质较好，但是移除率太低，也只能达到3um/min左右，如果全程使用Lapping的话，加工就需耗时约2h，时间成本过高。目前的解决方式是在Lapping之前加入Grinding的制程，通过钻石砂轮与减薄机的配合来达到快速减薄的目的。

2. Lapping制程

减薄之后再使用6um左右的多晶钻石液配合树脂铜盘，既能达到较高的移除率，又能修复Grinding制程留下的较深刮伤。一般来说切割过程中发生裂片都是由于Grinding制程中较深的刮伤没有去除，因此此时对钻石液的要求也比较高。

除了裂片之外，有些芯片厂家为了增加芯片的亮度，在Lapping的制程之后还会在外延片背面镀铜，此时对Lapping之后的表面提出了更高的要求。虽然有些刮伤不会引起裂片，但是会影响背镀的效果。此时可以采用3um多晶钻石液或者更小的细微性来进行Lapping制程，以达到更好的表面品质。