曝光显影工艺主要应用于微电子加工中,是一种将芯片图案传递到硅片上的技术。
曝光显影工艺可以分为以下步骤:准备硅片:在硅片上涂覆光刻胶,将硅片和光刻胶一起加热,使其在表面形成均匀的光刻胶层。
曝光是将需要蚀刻的图案通过光绘转移到两张一样的菲林胶片上,然后通过机器定位或者人工定位的方式去将菲林对准,再将涂布感光油墨的蚀刻片置于菲林中间,固定后进行曝光。3D玻璃显影曝光技术在HW mateRs用到了此技术,曝光时菲林胶片黑色部分的钢片不被感光,对于空白的蚀刻钢片感光,钢片感光的油墨发生聚合反应,然后通过显影机,蚀刻钢片上的感光油墨不被显影液所融化,显影喷淋(developer dispense):在硅片表面涂覆显影液。为了将显影液均匀地涂覆到硅片表面上,显影喷嘴分为以下几种:E2喷嘴,LD喷嘴,GP喷嘴,MGP喷嘴等。在传统的胶片摄影中,曝光是通过光线交互感光材料来记录影像的过程,而显影是通过在显影剂溶液中,通过还原和氧化反应,使得感光材料上的显影晶粒排列形成的银像得以显影出来,曝光步骤是将光线聚焦在光刻胶上,而显影步骤则是将底材浸泡在显影剂中达到消除未曝光区域的目的。通过曝光显影技术,可以在微米尺度上制造出高精度的微电子元器件和芯片。显影液表面停留(puddle):为了让显影液与光刻胶进行充分反应,显影液喷淋后需要在硅片表面停留一般为几十秒到一两分钟。为感光的油墨被显影液去除,通过这样的方式,需要蚀刻的图案显影在钢片上面了。原文链接:http://www.tolin.cn/gy/85437.html,转载和复制请保留此链接。
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